Micro-LED 顯示技術(shù)是近年來(lái)繼OLED 顯示技術(shù)后最受關(guān)注的平板顯示技術(shù)。作為固體主動(dòng)發(fā)光器件，Micro-LED具有工作電壓低、發(fā)光效率高、響應(yīng)速度快、性能穩(wěn)定可靠、工作溫度范圍寬等優(yōu)點(diǎn)，在電視、電腦、微型投影機(jī)、無(wú)掩膜光刻、手機(jī)、手表、AR、VR 等中小型和微型顯示器件中具有重要的應(yīng)用需求。

    Micro-LED在2000年左右被首次提出。2004年，英國(guó)斯特克萊德大學(xué)研究團(tuán)隊(duì)使用干法刻蝕技術(shù)制作出GaN基藍(lán)光Micro-LED陣列，像素大小為20μm，像素?cái)?shù)為128×96。2006年，長(zhǎng)春光機(jī)所梁靜秋研究團(tuán)隊(duì)利用分層濕法腐蝕制備了AlGaInP紅光Micro-LED陣列，像素大小為16μm×20μm，像素?cái)?shù)量為1000×818。2011年，美國(guó)德克薩斯州立大學(xué)研究團(tuán)隊(duì)制作出像素大小為15μm的GaN基綠光Micro-LED陣列，像素?cái)?shù)為640×480。2014年，蘋果公司收購(gòu)Lux Vue，正式入場(chǎng)Micro-LED的技術(shù)研究，Micro-LED技術(shù)也進(jìn)入了大眾的視野。

    在Micro-LED 器件發(fā)展過(guò)程中，國(guó)際上的研究工作多集中于紅光、藍(lán)綠光和紫外光等單色Micro-LED 器件的結(jié)構(gòu)、制作工藝、器件特性等方面。圖1以藍(lán)寶石襯底外延片為例，給出了Micro-LED的結(jié)構(gòu)和簡(jiǎn)要制備流程。外延層通常包括 GaN 緩沖層、n 型 GaN、InGaN/GaN 多量子阱、AlGaN 電子阻擋層和 p- GaN 層等。Micro LED的制作流程通常包括ICP臺(tái)面刻蝕、n電極金屬沉積、SiO2 層沉積、p電極沉積及退火等。